AGR18125EF
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
ΑΣΙ / Advanced Semiconductor, Inc.
Περιγραφή:
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Συσκευή::
Τραπέζι
Τεχνολογία::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Εισαγωγή
Η AGR18125EF, από την ASI / Advanced Semiconductor, Inc., είναι RF MOSFET Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
1Ν26
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR09090EF
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
1Ν26 |
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
|
|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR09090EF |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: