1Ν26
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
ΑΣΙ / Advanced Semiconductor, Inc.
Περιγραφή:
Πίνακες διόδων ΕΡΜΕΤΙΚΑ ΣΙΛΕΙΣΜΟΥΣ, DO-37, 2PIN
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Packaging ::
Bulk
Product Category ::
PIN Diodes
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Εισαγωγή
Το 1N26, από την ASI / Advanced Semiconductor, Inc., είναι PIN Diodes. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
MRF557T
RF Bipolar Transistors RF Transistor
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR18125EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
AGR09090EF
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
MRF557T |
RF Bipolar Transistors RF Transistor
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR18125EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
|
|
|
|
AGR09090EF |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: