Δελτίο ΕΚ 6/2015
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
45 W
Package / Case ::
TO-272
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Συνεχή ροή αποχέτευσης::
14 μΑ
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Εισαγωγή
Το NPT2021,από το MACOM,είναι RF JFET Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
MACOM Rf σε ημιαγωγούς MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
MADP-007433-12790T 1,5 Ωμ RF Ημιαγωγούς 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
MACOM Rf σε ημιαγωγούς MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
![]() |
MADP-007433-12790T 1,5 Ωμ RF Ημιαγωγούς 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: