Διάταξη TGF3015-SM
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.1 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
15.3 W
Package / Case ::
QFN-EP-16
Output Power ::
11 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Συνεχή ροή αποχέτευσης::
557 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το TGF3015-SM,από την Qorvo,είναι RF JFET τρανζίστορ.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: