TGF2819-FS
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το TGF2819-FS,από την Qorvo,είναι RF JFET τρανζίστορ.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: