QPD3601
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
22 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
180 W
Package / Case ::
NI400-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
360 mA
Pd - Power Dissipation ::
60.9 W
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το QPD3601, από την Qorvo, είναι RF JFET τρανζίστορ. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: