Τ1G3000532-SM
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Στυλ τοποθέτησης::
Δοκιμαστική συσκευή
Gain ::
15.7 dB
Τύπος τρανζίστορ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
9.1 W
Package / Case ::
QFN-32
Output Power ::
5.7 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
0.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το T1G3000532-SM,από την Qorvo,είναι RF JFET τρανζίστορ.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: