Τ1G6001032-SM
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Qorvo
Περιγραφή:
RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Κατηγορία προϊόντων::
Τρανζίστορες RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Κέρδος::
19 DB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το T1G6001032-SM,από την Qorvo,είναι RF JFET τρανζίστορ.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: