ΝΕ3508M04-T2-A
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
CEL
Περιγραφή:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Η πολικότητα του τρανζίστορ::
N-Κανάλι
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Κέρδος::
14 DB
Transistor Type ::
HFET
Pd - διασκεδασμός δύναμης::
175 MW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Εισαγωγή
Το NE3508M04-T2-A,από την CEL,είναι RF JFET τρανζίστορ.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: