TGF2021-12
Προδιαγραφές
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 8 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Package / Case ::
Die 18
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
3.6 A
Manufacturer ::
Qorvo
Εισαγωγή
Το TGF2021-12, από την Qorvo, είναι RF JFET Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: