Α3G26H502W17SR3

κατασκευαστής:
NXP USA Inc.
Περιγραφή:
RF Power Discrete Transistors
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Εισαγωγή
Το A3G26H502W17SR3, από την NXP USA Inc., είναι RF ενισχυτής. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του “online chat” ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: