BLF6G22LS-100,112
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
ΑΜΕΡΙΚΑΝΙΚΗ Α.Ε. Ampleon.
Περιγραφή:
RF Power Discrete Transistors
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικοί ημιαγωγοί
Προδιαγραφές
Κατηγορία προϊόντων::
Ενισχυτής RF
Gain (dB) ::
18.2
Output Power (W) ::
100
Frequency Min (GHz) ::
2.11
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
2.17
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Εισαγωγή
Το BLF6G22LS-100,112, από την Ampleon USA Inc., είναι ο ενισχυτής RF. Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, που είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
Βλέπε παρακάτω.
RF Power Discrete Transistors
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
Βλέπε παρακάτω. |
RF Power Discrete Transistors
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: