BF861A,215
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Τεχνολογία::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
250 mW
Package / Case ::
SOT-23
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Packaging ::
Reel
Maximum Drain Gate Voltage ::
25 V
Id - Continuous Drain Current ::
6.5 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 25 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Εισαγωγή
Το BF861A,215, από την NXP Semiconductors, είναι τα RF JFET Transistors. Αυτό που προσφέρουμε έχουν ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά, τα οποία είναι σε πρωτότυπα και νέα εξαρτήματα.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: