Δελτίο ΕΚΑΧ
Προδιαγραφές
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
11.6 W
Package / Case ::
SOIC
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας::
+ 200 Γ
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2 mA
Vgs - Τετάρτη διακοπής πύλης πύλης::
3 mA
Manufacturer ::
MACOM
Εισαγωγή
Το NPTB00004A,από τη MACOM,είναι RF JFET Τρανζιστόρες.Αυτό που προσφέρουμε έχει ανταγωνιστική τιμή στην παγκόσμια αγορά,που είναι σε πρωτότυπα και νέα μέρη.Αν θέλετε να μάθετε περισσότερα για τα προϊόντα ή να εφαρμόσετε χαμηλότερη τιμή, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας μέσω του online chat ή στείλτε μας μια προσφορά!
Συγγενικά προϊόντα
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
MACOM Rf σε ημιαγωγούς MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
MADP-007433-12790T 1,5 Ωμ RF Ημιαγωγούς 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
![]() |
MACOM Rf σε ημιαγωγούς MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
![]() |
MADP-007433-12790T 1,5 Ωμ RF Ημιαγωγούς 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ: